| PART |
Description |
Maker |
| SFH420 SFH425 Q62702-P0330 Q62702-P1690 |
Mica Film Capacitor; Capacitance:33pF; Capacitance Tolerance: /- 5 %; Working Voltage, DC:300V
GaAs-IR-Lumineszenzdiode 0.5 in SMT-Gehuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package
From old datasheet system
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Siemens Semiconductor G...
SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SFH402-3 Q62702-P96 SFH401 Q62702-P784 Q62702-P786 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
From old datasheet system
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Siemens Semiconductor G...
http://
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
红外LED
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| Q62703-Q1031 LD274 Q62703-Q1820 LD274-2 LD274-3 Q6 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 砷化镓红外Lumineszenzdiode砷化镓红外发射器
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SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SFH464E7800 SFH464 Q62702-Q1745 |
GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm 发动器，Lumineszenzdiode 660纳米发光二极管的GaAIAs 660纳米
From old datasheet system
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SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SFH426 SFH421 Q62703-P0331 Q62702-P1055 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package 发动器红外光在SMT Lumineszenzdiode，在SMT Geh锓包GaAlA红外发射
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in 3.0 SMT-Gehuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
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SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| Q62703Q0517 |
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
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OSRAM GmbH
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| Q62702P5053 |
GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)
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OSRAM GmbH
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| Q62703Q0148 Q62703Q0256 Q62703Q0833 Q62703Q0838 |
IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter
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OSRAM GmbH
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| SFH4232 Q65110A8754 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4547 Q65111A1141 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| Q65110A2742 SFH7222 SFH722212 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und grüne GaP-LED (565 nm)
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OSRAM GmbH
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